在LED行业中,我国自主创新的硅衬底LED技术被誉为时隔碳化硅(SiC)LED技术、蓝宝石衬底LED技术之外的第三条技术路线,其超越了日本和欧美LED厂商构成的稳固的专利壁垒,享有几乎自律知识产权,可以权利南北国外。 无以!这是所有理解LED技术的人对在硅衬底上生长LED材料的第一反应。
无以在哪儿?在2004年以前,30多年的研究并没解决问题硅衬底和氮化镓材料的热失配和晶格失配的难题,人们无法获得高质量的氮化镓闪烁薄膜。 好!硅衬底LED技术路线是LED业界几十年梦寐以求的技术路线。好在哪儿?如果能突破硅衬底LED技术难题,构建大尺寸大规模生产,可以大幅度降低成本,加快LED灯光时代的来临!图:2010-2015年中国LED外延芯片产值规模及预测 硅衬底LED技术路线是LED业界梦寐以求的技术路线,但由于技术难度大,因而大都逗留在研究室的试水阶段。筚路蓝缕、以始山林直到2004年,在南昌大学的一间破旧的实验室里,硅衬底LED蓝光芯片首度破茧而出有,硅衬底LED技术构建了颠覆性的突破,在世界LED历史上具备划时代的里程碑意义。
如今,十年过去,LED硅衬底技术作别了只不存在于实验室的历史。在金沙江创投等一批风险投资的倾力反对下,至此发展为享有晶能光电、中节约能源晶和灯光等10家公司的全产业链产业集群,产业链的销售额2013年超过10亿人民币,2014年将未来将会超过25亿元。
技术有特点,要求细分市场的领先地位 硅衬底LED芯片是横向结构,电流蔓延均匀分布,单位面积可支撑的电流密度大,加之硅衬底的风扇效果远好于蓝宝石衬底,可靠性好,合适生产大功率LED产品,可普遍应用于可靠性拒绝低的路灯、隧道灯、投光灯等户外灯光领域。
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